《表2 近地轨道空间辐射环境不同辐射损伤效应分布特征》

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《商业航天元器件抗辐射性能保证研究》

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注:位移损伤剂量是以10 Me V质子注量为参考，叠加地球捕获质子和太阳耀斑质子进行分析的结果。

从图1中可以看出，取3 mm铝屏蔽厚度，低轨卫星在轨1年遭受的电离总剂量水平在0.13～11.09 krad（Si）的范围；而10 MeV能量质子的注量水平在1.66×109～3.87×109p/（cm2·年），含地球捕获质子和太阳耀斑质子，如图2和图3所示。由表1可知，LEO辐射环境中重离子数的LET值在15MeV·cm2/mg以内的粒子数较多；而在（15，37]MeV·cm2/mg范围的粒子数较少；而大于37 MeV·cm2/mg的重离子数极少(见表2，此为以3mm铝屏蔽进行分析的结果）。因此，需要重点考虑LET值在37 MeV·cm2/mg以内的重离子造成影响。