《表1 不同材料CET：MMC子模块设备老化机理与状态监测研究综述》

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《MMC子模块设备老化机理与状态监测研究综述》

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由PMI功率模块封装结构可知，键合线与芯片连接界面的材料分别为Al和Si，芯片与DBC、DBC与铜基座之间均使用Sn焊接[14]。几种材料热膨胀系数（coefficient of thermal expansion，CTE）见表1[15]。由于CTE的巨大差异，接合的不同材料在温度变化下在接合面产生机械应力，造成接合面结构的改变，表现为IGBT的老化。典型的封装老化类型有键合线剥离和焊接层疲劳。