《表2 不同频率下的终端射频前端器件主要制造工艺要求》

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《毫米波终端技术及应用方案研究》

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目前制造支持低频段的射频前端器件的材料多为砷化镓、CMOS和硅锗（SiGe）。但由于毫米波段与低频段差异较大，低频射频前端器件的制造材料在物理特性上将很难满足毫米波射频前端器件的要求。毫米波集成电路主要采用III-V族半导体工艺（砷化镓GaAs，氮化镓GaN，磷化铟InP等）实现，这比CMOS等硅基工艺具有更低的噪声系数、更高的晶体管截止频率和更强的功率处理能力。近年来消费电子和高集成度系统的大量需求，促进了硅基工艺技术水平的不断提。目前毫米波频段的功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）等通信系统中的射频电路关键模块已经在硅基工艺上逐渐实现，但性能还需要进一步提升。表2为按照频率划分的目前射频前端器件的主要制造工艺要求。