《表1 动态随机存取存储器的存储容量、元件个数、特征尺寸的关系》

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《“卡脖子”技术的突破：中国微电子技术微米级台阶的跨越》

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为了便于从宏观上考察微电子技术及相应生产线的工艺水平，一般以典型产品动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）的容量为指标。动态随机存取存储器主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多少来代表一个二进制比特（bit，也称作“位”）是1还是0。动态存储器的结构十分简单，每一个数据存储单元都只需一个电容和一个晶体管来处理（1）。所以，1K容量的动态存储器，需要集成2048个元件。有些时候也可以用静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）的容量来考察集成电路工艺及相应的生产线的技术水平，静态随机存取存储器上的一个数据存储单元通常需要4～6个晶体管，相同容量的产品，静态随机存取存储器的元件数就是动态随机存取存储器4～6倍。正因如此，与静态随机存取存储器相比，动态随机存取存储器拥有非常高的密度，单位体积的容量较高且成本较低。动态随机存取存储器的存储容量、元件个数和特征尺寸的基本关系参见表1。可见，64K容量的动态随机存取存储器，元件数已突破10万，特征尺寸达到了2微米，接近或达到了超大规模集成电路的水平。因此，要想研制、生产超大规模集成电路，必须要跨越微米级工艺台阶！