《表1 电场强度探针测得信号的主要参数》

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《开口金属腔体对强电磁脉冲的耦合效应》

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对不同条件下探针测得的电场信号进行处理，得到的功率密度和能量密度值如表1所示。从表中可以看出，HEMP和HPM耦合到腔体内的能量已达多种电子元器件破坏阈值级别[12-14]。若进一步增加辐射功率和辐射时间，则会导致更多的电子元器件被破坏。此外，对比两种强电磁脉冲释放的总能量以及腔体内的耦合能量可以看出，在上述仿真条件下，HPM进入腔体内的耦合效率要明显高于HEMP。