《表1 金属硫化物复合g-C3N4材料》

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《基于g-C_3N_4异质结复合材料光催化降解污染物的研究进展》

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金属硫化物是常用的与g-C3N4形成半导体-半导体异质结的一类物质，近几年研究较多的有MoS2、WS2、Sn S2、CdS等（见表1），它们的带隙可随着形貌的变化而改变，能与gC3N4有良好的带隙匹配，并且利用合适的方法可使它们的形貌转变为二维或者一维结构，与能形成二维结构的g-C3N4形成良好的晶格匹配，使得两种物质形成紧密的非P-N型异质结构[35-36]。