《表3 样品A2和A3制备的电池的J-V特征曲线》

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《ZnS溅射功率对Cu_2ZnSnS_4薄膜附着性及太阳电池性能的影响》

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在A2、A3样品上制备缓冲层CdS后制作出CZTS/Cd S太阳电池，其J-V曲线如图7所示。表3列出了两个样品的光伏特性参数。A2样品制备的CZTS电池具有更高的短路电流（14.23 m A/cm2）以及更高的填充因子（0.41），因此获得较高的光电转换效率（3.34%）。两个样品的开路电压接近。A3样品短路电流低，由于其薄膜中大量孔洞引起较大的漏电流，导致并联电阻减小。此外，反应不充分导致的二次相也会引起串联电阻增大[30]。由此可见，不同溅射功率下制备的Zn S薄膜对其器件性能有较大影响。实验表明，在其他条件不变时，当Zn S溅射功率为80 W左右时，获得的CZTS太阳能电池具有较好的光电性能。