《表1 J-V曲线中的光电性能参数》

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《花状硫化铜的合成及其光电催化性能》

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为研究花状CuxS的光电催化性能，选择先煅烧再硫化的实验方法，反应时间为10 min，溶液浓度为1 mol·L-1，采用丝网印刷法制备出CuxS/FTO对电极，即分别在FTO上刷一层（以CuxS-1表示）或两层（在第一层烘干后再刷一层并烘干，以CuxS-2表示），并与Zn-Cu-In-Se量子点敏化光阳极组装成电池测试其光电转换效率（图3）。由图3及表1可知，当CuxS层数为一层时，电池开路电压Voc为0.602 V，略高于两层的Voc（0.588 V），而短路电流Jsc为27.26mA·cm-2，显著高于两层的（25.98 mA·cm-2），提高了～5.16%，但填充因子FF相对较低，最终所得光电转换效率一层为8.80%，略高于两层的8.66%，提高幅度仅～1.6%。同此可知刷一层Cu2O的CuxS/FTO操作更简单，且转换效率略高。为保证实验数据的可靠性和可信性，以Cu2S/brass对电极为对比，在相同的实验条件下组装成电池进行测试对比，结果显示Cu2S/brass对电极的各项光电性能参数为Jsc=27.02mA·cm-2，Voc=0.584 V，FF=57.27%。对比发现，通过该方案制备的CuxS/FTO对电极可与Cu2S/brass相媲美。