《表2 辐照屏蔽体表面各点剂量当量率》
注:环境本底辐射当量率为0.045μSv·h-1。
按照HJ 785—2016《电子直线加速器工业CT辐射安全技术规范》规定,在屏蔽体表面大于或等于30 cm处任何监测点周围,剂量当量率应不大于2.5μSv·h-1。在设备的额定条件(500 keV和100mA)下连续运行,测定设备5个点,选择距离屏蔽体20 cm或缝隙处(比HJ 785—2016标准更严格),实测各点的剂量当量率,结果如表2所示。
图表编号 | XD00109001000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.11.10 |
作者 | 程安仁、林浩、矫阳、陆永俊、张艳霞、郭月莹 |
绘制单位 | 北京市射线应用研究中心辐射新材料北京市重点实验室、北京市射线应用研究中心辐射新材料北京市重点实验室、北京市射线应用研究中心辐射新材料北京市重点实验室、北京市射线应用研究中心辐射新材料北京市重点实验室、北京市射线应用研究中心辐射新材料北京市重点实验室、北京市射线应用研究中心辐射新材料北京市重点实验室 |
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