《表1 纳米线分段以及各段背景光波长和光强》

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《带隙渐变纳米线的光电导淬灭效应》

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如表1所示，将四段纳米线采用导波注入的方式将激励光注入纳米线内部，由于对应波长光子的能量都大于纳米线段的带隙宽度，所以电子会从价带跃迁至导带，产生激励电流I1，也就是背景电流。为了研究1 550nm光子的淬灭效应在带隙渐变的硫硒化镉纳米线中的效果，分别将10-10 W的1 550nm光子注入四条纳米线段中，之后再依次注入10-9、10-8、10-7和10-6 W的1 550nm光子。在每次注入1 550nm光子后记录背景电流的减小量，该减小量与原背景电流之比即为淬灭度，通过归一化拟合统计如图5所示。