《表7 路径B-B应力线性化结果》

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《冷旋压高压气瓶瓶底结构强度分析》

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由于在各工况载荷条件下，气瓶瓶底应力分布不同，根据表6进行强度校核。选择在48 MPa内压条件下对瓶底进行分析，瓶底过渡圆弧处属于结构不连续区，很容易产生较大的一次局部薄膜应力及二次应力，所以只需要对表6中的SⅡ和SⅣ进行校核，其他应力强度可以不进行校核[12]。将路径B-B（应力最大处）应力线性化可得到一次局部薄膜应力PL、二次应力Q、一次+二次应力及总应力。路径B-B应力线性化结果如表7所示，其中，SⅡ=PL=821.5 MPa<1.5KSm（924.6 MPa），SⅣ=PL+Pb+Q=1 062.6<3KSm（1 849.2 MPa），因此，在最小爆破压力下，气瓶瓶底结构强度满足标准要求。