《表4 正交试验方案结果分析》

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《SrTiO_3衬底表面外延生长TiCN薄膜工艺参数优化及疏水疏油性能》

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在薄膜的制备过程中，磁控溅射工艺参数对薄膜的结构和性能有直接的影响。按照正交试验方案进行薄膜制备，以薄膜的疏水性能（即薄膜与水的接触角）为判断指标，以溅射功率（A）、溅射偏压（B）、溅射时间（C）、氮气流量（D）、甲烷流量（E）和占空比（F）为研究因素，每个因素选取5个水平，根据正交试验结果，探究各个参数对薄膜疏水性能的影响，以此来优化薄膜制备的工艺参数，并研究薄膜的微观结构。正交试验方案结果分析见表4。