《表1 材料的电导率：多孔Al_2O_3/SiC、MoSi_2/SiC复合材料的制备及吸波性能》

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《多孔Al_2O_3/SiC、MoSi_2/SiC复合材料的制备及吸波性能》

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结合表1可知，SiC多孔材料、Al2O3/SiC复合材料、MoSi2/SiC复合材料对电磁波的损耗方式为介电损耗，主要是材料内部极化在电磁场中重建的时间赶不上电磁场频率的变化，使电介质的载流子在外加电场作用下产生导电电流，消耗电磁波能量。虽然Al2O3/SiC复合材料、SiC多孔材料、MoSi2/SiC复合材料的电导率依次增大，且电导率越大，越不利于阻抗匹配，但是吸波性能不仅与材料性质有关，还与材料的结构密切相关。结合图2和图4，SiC多孔材料仅有一种损耗机制，Al2O3/SiC复合材料仅有一种比前者增强的损耗机制，而MoSi2/SiC复合材料受多种损耗机制影响。SiC多孔材料中的多孔结构使得入射电磁波形成多次反射损耗电磁波。Al2O3/SiC复合材料中的Al2O3与SiC之间的界面形成界面极化；另外由于Al2O3与SiC晶须相互交缠，形成大量电偶极矩，极化能力增强，损耗电磁波。MoSi2/SiC复合材料孔道内的金属Mo和MoSi2、Mo4.8Si3C0.6的海绵结构，构成了部分小型导电网络产生漏导损耗衰减电磁波；其孔道也会使入射电磁波形成多次反射；MoSi2与SiC之间的界面形成界面极化共同消耗电磁波；并且除介电损耗之外还存在电阻损耗。由此可见，MoSi2/SiC复合材料对电磁波的损耗能力最强，是一种性能优异的吸波材料。