《表1 后表面出射比：造钚率实验中γ射线自吸收修正研究》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《造钚率实验中γ射线自吸收修正研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

利用MCNP5程序进行了模拟计算，模型如图1，采用MCNP5（Monte Carlo N Particle Transport Code）自带的数据库，采用F8计数卡记录探测器对相应特征γ射线的计数。γ源为面源，位于吸收片上表面，源面积与吸收片直径相等，均为?24 mm，吸收片下表面据探测器端面距离9 cm。首先将吸收片材料描述为真空，得到探测器计数率I0，然后将吸收片材料描述为贫化铀，得到探测器计数率I，进而得到后表面出射比（一定角度范围内），模拟结果如表1所示。