《硅-二氧化硅界面物理》求取 ⇩

第一章 半导体表面物理基础1

1.1 表面空间电荷层及其电场、电荷密度和电容1

1.2 表面空间电荷层的六种基本状态9

1.3 表面过剩载流子浓度、表面电导、沟道电导20

1.4 表面散射和表面迁移率25

1.5 表面量子化效应和反型层厚度30

参考资料36

第二章 MOS结构的C－V（电容－电压）特性37

2.1 用近似方法分析理想MOS结构的C－V特性37

2.2 实际MOS结构的C－V特性45

2.3 不均匀掺杂树底MOS结构的C－V特性57

2.4 禁带中深能级对MOS结构C－V特性的影响65

参考资料70

第三章 硅-二氧化硅系统的电荷和陷阱71

3.1 二氧化硅层中的可动离子电荷71

3.2 二氧化硅层中的固定氧化物电荷78

3.3 硅-二氧化硅界面的界面陷阱电荷82

3.4 氧化物陷阱电荷92

3.5 由杂质引起的界面陷阱和界面附加电荷99

参考资料107

第四章 热载流子向二氧化硅中的注入和电离辐射效应109

4.1 热载流子向二氧化硅中的注入和注入方法109

4.2 MOS电容器的雪崩注入113

4.3 热载流子注入的物理模型117

4.4 电离辐射在二氧化硅中感生的正电荷122

4.5 电离辐射感生氧化物正电荷物理模型126

4.6 电离辐射感生的界面陷阱128

4.7 硬化技术130

参考资料132

第五章 硅-二氧化硅界面性质的电学测量133

5.1 用MOS结构高频C－V特性测量界面电荷133

5.2 用MOS结构C－V特性确走导电类型、测量硅衬底杂质浓度与杂质浓度分布144

5.3 用MOS结构的脉冲C－t特性测量硅中少子寿命150

5.4 用离子电流法测量二氧化硅层中的可动离子密度156

5.5 用准静态C－V特性测量界面陷阱密度159

5.6 用交流电导法测量界面陷阱密度166

5.7 用光电流－电压法测量二氧化硅中的电荷分布174

5.8 用电荷－电容法测量界面的多种基本参数181

参考资料190

附录192

附录一 式（5－90）的推导192

附录二 符号表193

附录三 物理常数表199

附录四 硅、二氧化硅的重要性质（27℃）199

附录五 习题200