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目录1

第一章薄膜电阻网络的平面化设计1

1.1薄膜电阻器的设计1

1.1.1方电阻的概念和材料的选择1

1.1.2薄膜电阻器的平面化设计3

1.3平面化总体设计的一般规则 13

1.2薄膜导体的设计11

1.3.1薄膜集成电路中电阻网络的平面化设计13

1.3.2单列及双列直插式薄膜电阻网络的平面化设计18

1.3.3薄膜衰减器的平面化设计19

1.4电阻网络平面化设计布局举例26

1.4.1薄膜电阻网络26

1.4.2电阻四端网络(衰减器)28

1.5薄膜电阻器的寄生效应34

1.5.1串联电感35

1.5.2串联电阻35

1.5.3分流电阻37

1.5.4分布电容37

1.5.5集肤效应38

2.1基片40

第二章 薄膜材料与元件40

2.1.1基片材料41

2.1.2基片的表面性质45

2.1.3基片的电气性质46

2.1.4基片的热学性质与力学性质48

2.1.5基片的化学稳定性51

2.2薄膜导体材料53

2.2.1对薄膜导体材料的要求53

2.2.2铝膜导体材料55

2.2.3金膜导体材料56

2.2.4铜膜导体材料58

2.2.5真空淀积复合膜导电带工艺60

2.3薄膜电阻材料与元件61

2.3.1 Ni-Cr薄膜电阻材料61

2.3.2 Cr-SiO薄膜电阻材料67

2.3.3钽膜电阻材料72

第三章薄膜的力学性质79

3.1薄膜的附着性能79

3.2薄膜工艺对薄膜内应力的影响87

3.3薄膜的机械强度92

4.1光刻工艺94

第四章光刻94

4.2掩模制备99

4.2.1金属掩模99

4.2.2两次光刻法(套刻)101

4.2.3金属掩模制备中应注意的几个问题101

第五章真空镀膜技术105

5.1真空技术的基础知识105

5.1.1“真空”的一般概念105

5.1.2真空的获得107

5.2真空蒸发107

5.2.1真空蒸发的理论基础108

5.2.2真空蒸发设备113

5.2.3蒸发源115

5.2.4真空蒸发薄膜的厚度分布118

5.3溅射121

5.3.1溅射的基本理论及特点121

5.3.2溅射技术与溅射装置122

5.4成膜监控技术128

5.4.1石英晶体监控法129

5.4.2光学监控法132

5.4.3电阻法136

5.4.4淀积速率监控法137

第六章薄膜电阻的调整138

6.1激光调阻138

6.2超声波调阻140

6.3氧化调阻141

6.4选切抽头带调阻143

6.5改变膜层内部结构调阻143

6.6其他调阻方法144

7.1焊接147

第七章薄膜电阻网络的焊接与封装147

7.1.1钎焊148

7.1.2压焊154

7.1.3外引线与膜层的互连160

7.2薄膜电阻网络的封装技术164

7.2.1气密性封装165

7.2.2非气密性封装166

72.3常用的塑料封装材料及封装工艺168

附录 薄膜电阻网络制造中的几种常用腐蚀液171

参考文献174

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