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目录1

第十五章 半导体分立器与集成电路1

一、 概况1

(一)工业生产水平1

(二)生产规模与工业布局8

(三)产品结构13

(四)本国市场与进出口14

(五)设备投资16

(六)研究与发展18

二、集成电路工业的发展及日美“半导体战争”21

(一)集成电路工业发展的特点21

(二)高速发展的几个因素22

(三)日美“半导体战争”26

三、半导体集成电路的技术水平31

(一)各类集成电路的技术水平31

(二)半导体集成电路的工艺水平48

(一)微波器件54

四、半导体分立器件的技术水平54

(二)功率器件58

(三)敏感器件与光电子器件64

五、发展趋势与预测66

(一)八十年代的重大技术进展和普遍采用的先进技术66

(二)几种新型器件的开发67

(三)集成电路今后发展预测74

第十六章 真空电子器件77

一、微波电子管77

(一)国外微波管工业概况77

(二)国外微波管技术水平90

(三)微波管的未来发展110

二、发射管113

(一)中短波广播发射管的现状113

(二)单边带发射管114

(三)电视发射管114

(四)调频广播发射管115

(五)工业用发射管116

(六)脉冲发射管116

(七)中小功率超高频发射管117

(八)发射管的共同性问题117

(九)国际上发射管工业的技术经济状况118

第十七章 电阻器和电容器124

一、 概述124

(一)产量产值124

(二)产品结构和市场结构131

(三)生产规模134

(四)投资135

(五)劳动生产率136

(六)发展趋势136

二、 固定电阻器141

(一)碳膜电阻器141

(二)实芯电阻器143

(三)金属膜电阻器144

(四)金属箔电阻器148

(五)线绕电阻器149

(六)电阻网络149

(七)印刷电阻电路152

(八)片状电阻器154

三、 电位器156

(一)概况156

(二)水平157

(三)发展方向158

四、 电容器162

(一)铝电解电容器162

(二)钽电解电容器168

( )有机薄膜电容器170

(四)陶瓷电容器171

(五)云母电容器174

(六)可变电容器174

一、概况176

(一)需求趋势176

第十八章 厚、薄膜混合集成电路176

(二)设计和工艺的新进展179

(三)混合电路技术应用及其扩展180

(四)混合集成电路的技术趋势180

二、混合集成电路的集成方式及其应用182

(一)厚膜集成182

(二)薄膜集成184

(三)Himic电路187

三、典型厚膜成膜工艺介绍189

(一)丝网印刷工艺189

(二)烧结工艺190

四、厚膜浆料191

(一)导体浆料191

(二)电阻浆料194

(三)介质浆料197

(二)切断短路条设计调阻法198

(一)改变电阻几何形状198

五、调阻技术198

(三)功能调阻199

(四)调阻技术发展趋势199

六、组装技术200

(一)常用组装工艺200

(二)高密度组装的特殊工艺201

(三)多层布线201

(四)封装结构203

一、概述205

(一)敏感元件重要地位205

七、结语205

第十九章 敏感元件205

(二)市场动态206

(三)今后动向208

二、热敏元件214

(一)PTC热敏电阻器214

(二)NTC热敏电阻器215

(四)高温热敏电阻器216

(三)CRT热敏电阻器216

(五)有机高分子热敏电阻器217

(六)薄膜热敏电阻器218

三、压敏电阻器219

(一)概况219

(二)生产水平220

(三)发展特点和动态225

(一)概况228

四、湿敏元件228

(二)各类湿敏元件230

(三)发展动向和趋势234

五、光敏元件239

(一)光敏元器件239

(二)光电传感器及其应用245

六、力敏元件246

(一)概况246

(二)金属应变计式压力传感器247

(三)半导体压力传感器250

(四)发展动向255

七、气敏元件257

(一)概况257

(二)水平258

(三)趋势和展望259

八、磁敏元件260

(一)霍耳元件260

(三)结型磁敏元件263

(二)半导体磁敏电阻器263

(四)半导体磁敏元件的应用和动向264

九、新型电子敏感元件265

(一)红外传感器265

(二)紫外线传感器266

(三)颜色传感器266

(四)光纤声传感器267

(五)酵素(酶)传感器267

(六)微生物传感器268

(七)离子传感器268

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