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目录2

第一部分微波集成电路概述2

第一章微波集成电路概述2

1.1微波集成电路的发展2

一、微波混合集成电路2

二、微波单片集成电路3

三、微波厚膜集成电路4

四、微波电路计算机辅助设计技术4

五、超高速数字电路和光集成电路4

1.2微波频段的划分4

一、微波的频段4

二、各频段的特点和应用6

1.3微波集成电路用的半导体器件7

一、平面型封装器件9

二、梁式引线器件9

三、无引线管芯10

1.4微波集成用的分布参数电路11

一、微波传输线概述11

二、介质基片与导体材料12

三、标准微带线14

四、槽线与共面线22

1.5微带电路的设计与制作24

一、MIC电路加工概要24

参考文献26

二、MIC电路设计和工艺加工的要点26

第二部分微波半导体器件29

第二章微波二极管29

2.1 肖特基势垒二极管29

一、工作原理29

二、结构和电参数30

三、混频二极管31

四、管对和管堆32

五、检波二极管33

2.2变容二极管37

一、pn结电容特性37

三、电调变容管38

二、结构和电参数38

四、功率变容管40

五、阶跃恢复二极管40

2.3 PIN二极管45

一、工作原理45

二、PIN二极管的电参数46

三、PIN二极管的微波应用46

2.4雪崩渡越时间二极管48

一、工作原理48

二、结构与电参数48

三、雪崩管的应用50

2.5体效应二极管51

一、工作原理51

二、结构与电参数52

2.6微波二极管典型特性曲线54

4.5低噪声放大器特性测试55

第三章微波三极管58

3.1硅双极晶体管58

一、低噪声双极晶体管59

二、功率双极晶体管63

三、振荡晶体管71

3.2硅场效应晶体管75

一、结型场效应晶体管76

二、金属—氧化物—半导体场效应晶体管76

三、静电感应晶体管78

四、硅场效应晶体管的直流电参数80

一、工作原理和电参数82

3.3砷化镓场效应晶体管82

二、低噪声砷化镓场效应管83

三、功率砷化镓场效应管84

四、双栅砷化镓场效应管88

五、砷化镓场效应振荡管88

3.4新型微波三极管92

一、高电子迁移率晶体管92

二、异质结双极晶体管95

三、其他新型微波三极管97

3.5三极管典型应用参数104

参考文献117

一、噪声系数与噪声温度120

第四章微波集成低噪声放大器120

第三部分微波混合集成电路120

4.1低噪声放大器主要技术指标120

二、功率增益、相关增益与增益平坦度121

三、工作频带122

四、动态范围123

五、端口驻波比和反射损耗123

六、三阶交调系数与1dB压缩点124

4.2低噪声放大器噪声特性125

一、最佳信源导纳与噪声匹配125

二、等噪声圆126

三、多级放大器的噪声分配128

二、稳定性判断133

一、绝对稳定与潜在不稳定133

4.3微波晶体管放大器的稳定性133

三、改善稳定性措施135

4.4微带线混合集成放大器基本143

电路143

一、输入匹配电路143

二、级间匹配电路147

三、输出匹配电路150

四、放大器整体电路151

五、放大器外盒与机械结构154

二、噪声系数测定156

一、增益与频带特性测量156

三、放大器稳定性检验159

四、噪声参数测量162

4.6低噪声放大器类型与应用163

一、低噪声放大器使用与选择原则163

二、低噪声放大器产品介绍164

第五章微波集成宽频带放大器170

5.1宽频带放大器主要技术指标170

一、工作频带宽度170

二、增益平坦度与起伏斜率170

四、驻波比与反射损耗171

五、相位畸变与相位线性度171

三、单边带增益171

六、群延迟172

5.2宽频带放大器基本电路结构173

一、平衡式放大器173

二、反馈式放大器174

三、有损耗匹配放大器180

四、行波式放大器183

五、有源匹配式放大器186

六、直流供电电路与盒体结构188

5.3宽频带放大器类型与产品190

一、放大器在实际使用中的一些问题190

二、国内生产的宽频带放大器191

三、国外生产的宽频带放大器193

6.1功率放大器主要技术指标197

一、工作频带197

第六章微波集成功率放大器197

二、输出功率198

三、功率效率和功率附加效率198

四、交调失真198

五、交扰调制失真202

六、调幅—调相转换203

七、谐波失真204

八、输入输出驻波比205

九、增益平坦度与增益斜率205

十一、微波辐射206

十、寄生杂波206

6.2砷化镓场效应功率管207

一、直流特性207

二、高频特性207

三、最大额定参数208

四、内匹配功率管209

6.3硅双极型功率晶体管210

一、电性能参数210

二、典型特性曲线211

三、最大额定参数212

四、热阻212

6.4基本电路结构与电路原理212

一、工作状态213

二、匹配电路216

三、平衡功率放大器218

四、功率合成219

五、级联功率放大器223

六、自动电平控制227

七、改善功率放大器非线性的方法227

八、功率放大器的保护228

九、微波功率放大器的直流供电电路231

6.5功率放大器性能指标233

一、行波管替代器233

二、脉冲功率放大器234

一、国内生产的功率放大器235

三、高功率固态甲乙类线性功率放大器235

6.6功率放大器产品型号235

二、国外生产的功率放大器240

6.7功率放大器特性检测242

一、功率和功率增益测试242

二、幅频特性测试243

三、三阶交调系数测试244

四、调幅-调相转换系数测试244

五、三拍失真系数测试245

六、寄生杂波测试245

七、微波辐射测试245

一、噪声系数和等效噪声温度比247

分析247

第七章微波集成混频器247

7.1微波混频器技术指标与特性247

二、变频损耗249

三、动态范围251

四、双频三阶交调与线性度251

五、工作频率253

六、隔离度253

七、镜频抑制度254

八、本振功率与工作点254

九、端口驻波比254

十、中频输出阻抗254

二、平衡混频器255

7.2混频器电路结构与工作原理255

一、单管混频器255

三、镜频抑制混频器262

四、双平衡混频器265

五、谐波混频器267

六、混频器与前置中放组件271

七、三极管混频器273

7.3上变频器277

一、上变频器主要技术指标277

二、变容管上变频器278

三、双栅场效应管上变频器279

一、国内外系列产品及性能说明281

7.4微波混频器产品性能及型号281

二、混频器的选择与电路应用290

7.5混频器参数测量297

一、混频管微波阻抗和静态参数297

二、混频器噪声系数测量301

三、中频阻抗测量302

四、变频损耗测量303

第八章微波集成检波器306

8.1检波器主要技术指标306

一、电流灵敏度306

二、电压灵敏度307

三、视频电阻308

四、优质因数309

五、最小可检测功率309

六、切线灵敏度311

七、动态范围与烧毁能量312

8.2检波器电路结构和工作原理313

一、检波器的应用范围与检波二极管313

二、检波器电路315

8.3微波检波器产品型号及特性322

一、几种常见检波器产品型号322

二、微波检波器产品的选用324

一、电压灵敏度测量325

8.4微波检波器的参数测量325

二、切线灵敏度测量326

三、视频阻抗测量326

第九章微波集成振荡器328

9.1振荡器主要技术指标328

一、振荡器的稳定度328

二、调频噪声和相位噪声330

9.2微波集成振荡器332

一、介质谐振器稳频FET振荡器332

二、体效应二极管振荡器与雪崩二极管振荡器348

三、电压控制振荡器352

四、分频锁相式固态源354

一、WZB3型雪崩振荡器362

9.3微波集成振荡器产品362

二、WZB型体效应振荡器365

三、WZB8系列电调场效应三极管振荡器367

9.4振荡器参数测量369

一、输出功率测量369

二、振荡频率测量369

三、振荡器频率牵引特性测量370

四、振荡器调频噪声测量371

五、振荡器相位噪声测量371

第十章微波集成控制电路372

10.1微波控制电路概述372

一、PIN开关二极管372

二、砷化镓场效应开关三极管373

10.2微波集成开关374

一、微波开关主要技术指标374

二、PIN管开关的工作原理376

三、场效应三极管开关的工作原理384

四、微波集成开关产品385

10.3微波集成移相器387

一、移相器类型和主要技术指标387

二、移相器的工作原理388

三、微波移相器产品395

10.4微波集成电调衰减器395

一、电调衰减器的主要技术指标395

二、电调衰减器工作原理397

三、电调衰减器产品403

10.5微波集成限幅器405

一、限幅器主要技术指标406

二、限幅器工作原理407

三、微波限幅器产品409

参考文献410

第十一章微波单片集成电路基本知识410

第四部分微波单片集成电路412

11.1微波单片集成电路概况412

一、发展概况412

二、微波单片集成电路原材料413

三、发展前景413

四、微波单片集成电路特点414

五、国内外水平及商品情况416

11.2微波单片集成电路的材料417

和元器件特性417

一、材料特性和加工技术417

二、材料的主要参数422

三、微波单片集成电路常用的元器件424

11.3微波单片集成电路工艺过程426

一、基本工艺技术426

二、微波单片集成电路制造技术430

11.4微波单片集成电路测量技术434

二、微波在片测试435

一、测量内容和所需仪表435

三、样品与芯片测试437

11.5微波单片集成电路应用技术438

一、工作环境和条件438

二、芯片装配技术439

三、有封装的微波单片集成电路的装配439

四、产品入厂检验和保管方法440

第十二章微波单片集成电路441

12.1单片集成小信号放大器441

一、概述441

二、国内的典型产品及其性能443

三、使用方法443

四、国外产品介绍445

一、概述450

12.2单片集成功率放大器450

二、国内外的典型产品451

12.3单片集成振荡器454

一、概述454

二、国内外的典型产品455

12.4单片集成混频器456

一、概述456

二、国内外的典型产品459

12.5单片集成接收前端460

一、概述460

二、国内外的典型产品460

一、概述462

12.6单片集成控制电路462

三、使用要求462

二、微波开关463

三、电调衰减器466

四、移相器469

参考文献473

第五部分微波集成电路材料元件与装配第十三章微波混合集成电路材料473

13.1微波混合集成电路基片476

第五部分微波集成电路材料元件与装配第十三章微波混合集成电路材料材料476

一、基片材料的主要性能476

二、各种基片材料的特点及应用483

三、固体电介质微波复介电常数测试与标准502

一、微波复合介质陶瓷材料分类506

13.2微波复合介质陶瓷谐振器506

材料506

二、微波介质谐振器产品规格与性能507

13.3微波厚膜集成电路材料510

一、微波厚膜集成电路的导体浆料510

二、微波厚膜集成电路的电阻及介质浆料517

三、微波厚膜集成电路典型应用电路521

13.4微波薄膜集成电路材料521

一、微波薄膜集成电路对材料的要求521

二、微波薄膜集成电路的导体材料522

三、微波薄膜集成电路的电阻材料527

四、微波薄膜集成电路的介质材料535

五、微波集成电路的辅助材料541

第十四章微波集成电路无源元件550

14.1微波混合集成电路电阻元件550

一、薄膜电阻器设计原则550

二、高频电路中膜式电阻器的寄生参数552

三、厚膜电阻器554

四、各种片式电阻器产品556

14.2微波混合集成电路电容元件558

一、薄膜电容器设计原则558

二、叉指形电容器559

三、各种电容器产品562

14.3微波混合集成电路电感元件570

一、直线电感器570

二、单圈电感器571

三、平面螺旋电感器572

四、电感器产品573

14.4微波集成滤波器575

一、小型介质带通滤波器575

二、声表面波滤波器576

三、LC滤波器577

四、国外各类滤波器577

14.5微波铁氧体元件579

一、微波铁氧体材料579

二、微波集成环行器与隔离器产品580

一、介质谐振器选用原则582

14.6微波介质谐振器元件582

二、微波介质陶瓷材料583

三、微波介质谐振器产品583

第十五章微波混合集成电路594

组装技术594

15.1微波混合集成电路组装工艺594

一、微波薄膜集成电路元器件的安装594

二、小孔金属化技术602

三、微波集成电路的功能微调技术603

四、微波集成电路多层布线技术604

15.2微波片式集成电路组装技术605

一、片式元件的特点及结构605

二、片式元件的组装606

三、外贴有源器件的组装610

四、外贴无源元件的要求和组装613

15.3微波混合集成电路的可靠性614

一、微波集成电路可靠性试验614

二、微波集成电路可靠性预测617

第十六章微波集成电路应用举例——家用卫星电视广播接收设备617

16.1地球同步卫星621

一、通信与广播卫星的基本特性621

二、现有电视广播卫星概况622

16.2家用卫星电视接收设备625

一、卫星电视接收设备的构成625

二、卫星电视接收天线627

三、卫星电视高频头631

四、卫星电视接收机640

16.3家用卫星电视接收设备的641

产品及使用641

一、高频头641

二、接收机644

三、天线645

参考文献645

第六部分附录648

附录Ⅰ 本书主要变量与参数符号648

附录Ⅱ 微波集成电路常用单位651

附录Ⅲ 微波集成电路常用物理量652

附录Ⅳ 微波集成电路常用缩略词652

附录Ⅴ 国内外微波集成电路部分生产厂家656

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