《集成电路 设计原理与制造》

1．半导体物理的一些基本概念1

1-1固体中的能带结构1

1-2 费米分布函数和费米能级5

1-3 半导体晶体中的电子和空穴9

1-4 本征半导体中的载流子浓度12

1-5 半导体中的施主杂质和受主杂质16

1-6 电阻率和电导率26

2．结的理论与特性35

2-1载流子扩散35

2-2 载流子寿命38

2-3 平衡结44

2-4 非平衡结60

2-5 结电容75

2-6 反向击穿77

3．杂质扩散和扩散结的性质82

3-1扩散理论82

3-2 工艺因素对扩散分布的影响89

3-3 扩散层的测定94

3-4 扩散结的性质104

3-5 金扩散110

4．晶体管基本原理114

4-1用作放大器的n-p-n结型晶体管114

4-2 电流增益和晶体管结构的关系120

4-3 缓变基区的电流增益127

4-4 晶体管的基极电阻129

4-5 基极输入和集电极饱和电压132

4-6 晶体管的最大电压特性134

4-7 晶体管的频率响应136

4-8 晶体管的开关特性143

4-9 开关过程的定性描述145

5．单块和混合电路的设计原理151

5-1基本工艺过程152

5-2 混合集成电路的设计原理153

5-3 单块电路的设计原理154

5-4 基本的单块结构156

5-5 各种工艺的优缺点167

5-6 p-n-p-n-p-n结构的形成170

5-7 光致抗蚀工艺175

5-8 光掩模的制造176

5-9 单块电路设计中的考虑179

5-10 单块电路设计举例182

5-11 小结190

6．多相单块集成电路195

6-1多相单块集成电路的制造198

6-2 多相单块集成电路的优点202

7．单块电路的晶体管和二极管205

7-1单块集成电路晶体管的结构205

7-2 击穿电压特性212

7-3 漏电流特性214

7-4 单块（电路）晶体管的电容214

7-5 电流增盆219

7-6 饱和特性222

7-7 单块电路晶体管的频率响应225

7-8 单块电路晶体管特性及电路应用小结229

7-9 把集成电路晶体管用作二极管的五种基本接法233

7-10 二极管反向击穿电压235

7-11 二极管漏电流236

7-12 二极管电容238

7-13 二极管存贮时间（二极管恢复时间）240

7-14 正向特性242

7-15 p-n-p寄生晶体管作用244

7-16 集成电路二极管小结246

8．集成电路中的场效应器件249

8-1场效应晶体管的工作和设计原理251

8-2 其他结型场效应器件262

8-3 场效应器件工艺268

8-4 绝缘栅FET275

9．集成电路中其他有源器件280

9-1隧道二极管和反向二极管280

9-2 变容二极管283

9-3 单结晶体管288

9-4 p-n-p-n开关290

10．集成电路的无源元件295

10-1结（型）电容器296

10-2 薄膜电容器302

10-3 扩散电阻器307

10-4 薄膜电阻器317

10-5 电感器321

10-6 压电滤波器323

10-7 大容量电容器323

10-8 集成电路系统的其他元件324

10-9 小结324

11．单晶生长和外延工艺326

11-1晶体生长326

11-2 切片和抛光327

11-3 外延327

12．晶片加工343

12-1外延345

12-2 扩散345

12-3 光致抗蚀法357

12-4 二氧化硅-硅的界面效应365

12-5 欧姆接触的形成368

13．集成电路中的薄膜374

13-1薄膜的淀积376

13-2 薄膜的改性386

13-3 薄膜图形的形成387

13-4 薄膜参数的调整389

13-5 薄膜的接触390

13-6 衬底制备391

13-7 相容电路的设计392

13-8 薄膜电路的相容性394

13-9 薄膜工艺小结397

14．装架工艺401

14-1管芯切割和焊接401

14-2 引线焊接408

14-3 封口416

14-4 寄生成份418

14-5 导热问题419

15．集成电路的封装421

15-1外壳的密封422

15-2 扁平外壳425

15-3 T0-5型外壳429

15-4 外壳的检验431

15-5 散热问题434

15-6 集成电路封装的发展趋势441

附录A443

附录B444

附录C445