《CMOS集成电路原理与设计》

第一章绪论1

1-1　微电子技术的发展概况1

1-2　IC的工艺技术及IC的分类5

本章小结20

第二章MOSFET的特性及其模型21

2-1　MOSFET的VT21

2-2　MOSFET的I-V特性26

2-3　P沟MOSFET30

2-4　MOSFET中的寄生电容31

2-5　MOSFET中的寄生电阻36

2-6　小尺寸MOSFET中出现的问题37

2-7　SPICE模拟程序中的MOSFET模型47

本章小结52

附录：2μmN阱CMOS工艺参数53

第三章CMOS反相器54

3-1　CMOS反相器及其电压传输特性54

3-2　CMOS反相器的开关特性60

3-3　CMOS反相器中的泄漏电流和功率－延迟乘积68

3-4　CMOS反相器的设计考虑70

本章小结73

4-1　CMOS静态逻辑电路的一般结构75

第四章CMOS静态逻辑电路75

4-2　CMOS与非门80

4-3　CMOS或非门84

4-4　或门和与门87

4-5　组合逻辑88

4-6　异或门和同或门95

4-7　静态CMOS逻辑结构的变种形式97

4-8　三态输出电路99

4-9　准（伪）NMOS/PMOS逻辑99

4-10　静态CMOS触发电路102

4-11　施密特触发器104

本章小结106

第五章CMOS开关逻辑电路108

5-1　CMOS传输门108

5-2　开关逻辑门114

5-3　锁存电路和触发电路118

5-4　阵列逻辑120

5-5　差动级联电压开关逻辑122

5-6　互补开关晶体管逻辑124

5-7　差动错层逻辑126

本章小结127

5-8　三态缓冲电路127

第六章CM0S动态逻辑电路129

6-1　基本动态CMOS门电路129

6-2　多米诺CMOS动态逻辑135

6-3　多输出多米诺逻辑145

6-4　锁存多米诺逻辑146

6-5　NORA逻辑147

本章小结155

第七章基本功能电路156

7-1　移位寄存器156

7-2　加法器170

7-3　乘法器182

本章小结189

第八章存储器190

8-1　存储器的组成190

8-2　只读存储器191

8-3　静态RAM193

8-4　动态RAM197

8-5　灵敏放大器197

本章小结203

9-2　可编程逻辑阵列204

9-1　概述204

第九章可编程逻辑器件204

9-3　EPLD209

9-4　高密度的PLD结构221

本章小结238

第十章微处理器239

10-1　概述239

10-2　数据通道及系统结构239

10-3　微码控制器245

10-4　精简指令技术246

本章小结250

第十一章自动化设计与验证251

11-1　概述251

11-2　集成电路版图251

11-3　设计规则检查252

11-4　电路提取256

11-5　数字电路仿真260

11-6　时序分析266

11-7　RTL仿真269

本章小结272

附录：典型P阱CMOS的工艺特征及设计规则272