《CMOS集成电路》求取 ⇩

前言页1

第一章 CMOS电路的发展和特点11

第二章 CMOS电路设计理论11

2.1 引言11

2.2 MOS绝缘栅场效应晶体管11

2.3 CMOS倒相器15

2.3.1 直流传输特性18

2.3.2 直流转移特性24

2.3.3 直流噪音容限25

2.3.4 瞬态特性35

2.3.5 功耗46

2.4 多输入端门50

2.5 传输门57

2.5.1 单沟道传输门的分析59

2.5.2 CMOS传输门66

2.6.1 二输入端与非门设计81

2.6 设计举例82

2.6.2 D型触发器设计88

2.7 强负载门设计介绍96

2.8 版图设计104

第三章 CMOS电路工艺108

3.1 引言108

3.2 标准工艺110

3.3 离子注入工艺115

3.3.1 形成P阱116

3.3.2 调整阈电压118

3.3.3 实现自对准120

3.4 硅栅工艺122

3.5 复合栅工艺127

3.6 SOS工艺131

第四章 CMOS电路的基本参数136

4.1 引言136

4.2 静态参数136

4.2.1 输出高电平和输出低电平136

4.2.2 最小输入高电平和最大输入低电平138

4.2.3 直流噪音容限139

4.2.4 输入阻抗141

4.2.5 输出驱动电流142

4.2.6 静态功耗145

4.3 动态参数146

4.3.1 各时间参数的定义和测试146

4.3.2 最高工作频率和最大时钟频率150

4.3.3 最大时钟上升(下降)时间151

4.3.4 输入电容152

4.4 门电路的直流特性153

4.3.5 动态功耗153

4.4.1 传输特性154

4.4.2 转移特性156

4.4.3 对电路内部MOS晶体管的测试159

4.5 传输门测量162

4.5.1 传输特性162

4.5.2 通导电阻163

4.5.3 截止电阻165

4.5.4 串扰165

4.5.5 频率响应166

4.5.6 延迟时间168

4.5.7 电容169

4.5.8 功耗171

4.6 极限参数172

4.6.1 电源电压172

4.6.2 输入电压和输入电流173

4.6.3 工作温度和存贮温度174

5.2 输入保护175

5.2.1 单二极管保护电路175

5.1 引言175

第五章 逻辑设计中的CMOS电路175

5.2.2 电阻二极管保护电路181

5.3 不使用的输入端和输入端的扩展186

5.4 门的并联使用188

5.4.1 多输入端门的输入端并联188

5.4.2 门和倒相器的并联189

5.5 CMOS电路与其他类型电路的接口189

5.6 三态输出198