《国外MOS存储器》

目录1

1．MOS存储器发展概况1

2．1024位高速MOS大规模集成随机存取存储器15

3．动态随机存取储器的基础及其应用25

4．4千位MOS动态随机存取存储器58

5．全译码随机存取1024位动态存储器67

6．简易刷新的动态n沟道MOS随机存取存储器82

7．具有内部刷新的三管MOS存储单元89

8．新型的4096位MOS芯片是快速高封装密度计算机存储器的心脏91

9．采用单管（FET）单元的8千位随机存取存储器芯片100

10．具有内部时序电路和低功耗单管4096位随机存取存储器108

11．高性能1024位开关电容p沟绝缘栅场效应晶体管115

12．用n沟硅栅工艺制作的1密耳2单管存储单元127

13．读出放大器的设计是单管单元4096位随机存取存储器的关键133

14．采用常关型肖特基势垒场效应晶体管的静态随机存取存储器144

15．绝缘体上外延硅薄膜MOS工艺的五管存储单元151

16．互补MOS存储器154

17．应用可变电容的自举作用来消除MOS电路中的阈值损失159

18．半导体存储器的测试方法162

19．MOS大规模集成电路的可靠性167