《单片机外围器件实用手册 存储器分册》求取 ⇩

前 言1

绪 论1

使用符号说明1

使用略缩语说明1

第一章 易失性存储器1

1.1 静态读写存储器SRAM1

1.1.1 16Kb SRAM系列1

1.1.1.1 CMOS 20脚SRAM(16K×1位):21C671

1.1.1.2 CMOS 20脚SRAM (4K×4位):61683

1.1.1.3 CMOS 24脚SRAM (2K×8位):61164

1.1.1.4 CMOS 24脚SRAM (2K×8位):6117/61185

1.1.2 64 Kb SRAM系列6

1.1.2.1 CMOS 22脚SRAM (16K×4位):71886

1.1.2.2 CMOS 22脚SRAM (16K×4位):16207

1.1.2.3 CMOS 24脚SRAM (16K×4位):*16249

1.1.2.4 CMOS 28脚SRAM (8K×8位):626410

1.1.2.5 CMOS 28脚SRAM (8K×8位):716514

1.1.3 72Kb SRAM系列16

1.1.3.1 CMOS 28脚SRAM (8K×9位):81C7916

1.1.4 256 Kb SRAM系列17

1.1.4.1 CMOS 24脚SRAM (256K×1位):81C8117

1.1.4.2 CMOS 24脚SRAM(256K×1位):180019

1.1.4.3 CMOS 24脚SRAM(64K×4位):81C8420

1.1.4.4 CMOS 28脚SRAM(32K×8位):6225621

1.1.5 1Mb SRAM系列22

1.1.5.1 CMOS 28脚SRAM(256K×4位):52100222

1.1.5.2 CMOS 32脚SRAM(128K×8位):62812824

1.1.5.3 CMOS 52脚SRAM(64K×18位):52102825

1.1.6 静态读写存储器SRAM器件索引28

1.2.1 256Kb CMOS28脚伪SRAM(32K×8位):6525641

1.2 伪静态读写存储器PSRAM41

1.2.2 512Kb CMOS32脚伪SRAM(64K×8位):586442

1.2.3 1Mb CMOS32脚伪SRAM(128K×8位):65812844

1.2.4 4Mb CMOS32脚伪SRAM(512K×8位):5851245

1.2.5 伪静态读写存储器PSRAM器件索引46

1.3 动态读写存储器DRAM47

1.3.1 动态读写存储器技术的发展47

1.3.2 DRAM 的工作原理51

1.3.3 1Mb DSRAM系列52

1.3.3.1 CMOS页面方式DRAM(1M×1位):MCM511000/51L100052

1.3.3.2 CMOS页面方式DRAM(256K×4位):MCM514256A/51L4256A57

1.3.4 4Mb DRAM系列59

1.3.4.1 CMOS快速页面方式DRAM(4M×1位):MCM44100B/4L4100B59

1.3.4.2 CMOS页面方式DRAM(1M×4位):MCM44400B/4L4400B62

1.3.5.1 CMOS快速页面DRAM:MCM516100/MCM516400/MCM51740064

1.3.5 16Mb DRAM系列64

1.3.5.2 CMSO快速页面方式DRAM:MCM516160A/518160A和MCM516180A/518180A70

1.3.6 动态读写存储器DRAM器件索引72

第二章 非易失性存储器81

2.1可紫外线擦除可编程只读存储器EPROM和一次性编程ROM81

2.1.1 16KbEPROM/PROM系列85

2.1.1.1 (4K×4位)20脚TTL高速PROM713385

2.1.1.2 (4K×4位)20脚TTL高速PROM63S1640/4186

2.1.1.3 (2K×8位)22脚TTL高速PROM713587

2.1.1.4 (2K×8位)24脚TTL高速PROM63168088

2.1.1.5 (2K×8位)24脚TTL PROM761689

2.1.1.6 (2K×8位)24脚NMOS EPROM2716/CMOS EPROM27C1690

2.1.1.7 (2K×8位)24脚NMOS EPROM TMS271692

2.1.2.1 (4K×8位)24脚NMOS EPROM2732/ CMOS EPROM27C3293

2.1.2 32Kb EPROM/PROM系列93

2.1.3 64Kb EPROM/PROM系列94

2.1.3.1 (8K×8位)28脚NMOS EPROM2764/CMOS EPROM 27C6494

2.1.3.2 (8K×8位)28脚带锁存器CMOS EPROM87C6499

2.1.4 128Kb EPROM/PROM系列100

2.1.4.1 (16K×8位)28脚NMOS EPROM 27128/CMOS EPROM 27C128100

2.1.4.2 (16K×8位)28脚CMOS EPROM TMS27C128102

2.1.5 256Kb EPROM/PROM系列103

2.1.5.1 (32K×8位)28脚NMOS EPROM27256/CMOS EPROM27C256103

2.1.5.2 (32K×8位)28脚带锁存器CMOS EPROM87C256105

2.1.6 512Kb EPROM/PROM系列107

2.1.6.1 (64K×8位)28脚NMOS EPROM27512/CMOS EPROM27C512107

2.1.6.2 (4×16K×8位)28脚NMOS页寻址EPROM27513109

2.1.7.1 (128K×8位)32脚NMOS EPROM27010/CMOS EPROM27C010111

2.1.7 1Mb EPROM/PROM系列111

2.1.7.2 (64K×16位)40脚NMOS EPROM27210/CMOS EPROM27C210112

2.1.7.3 (8×16K×8位)28脚NMOS页寻址EPROM27011114

2.1.8 2Mb(256K×8位)32脚CMOS EPROM27C020116

2.1.9 4Mb EPROM/PROM系列117

2.1.9.1 (512K×8位)32脚CMOS EPROM27C040117

2.1.9.2 (256K×16位)40脚CMOS EPROM27C4096119

2.1.10 8Mb(1M×8位)32脚CMOS EPROM27C080121

2.1.11 36Kb/64Kb/128Kb串行OTP ROM37LV36/65/128122

2.1.12 可紫外线擦除可编程只读存储器EPROM器件索引127

2.2 可电擦除可编程只读存储器EEPROM133

2.2.1 EEPROM概述133

2.2.2 4Kb(512×8位)24脚CMOS并行接口EEPROM28C04135

2.2.3 16Kb(2K×8位)CMOS并行接口EEPROM28C16和28C17137

2.2.3.1 (2K×8位)24脚CMOS并行接口EEPROM28C16137

2.2.3.2 (2K×8位)28脚CMOS并行接口EEPROM28C17139

2.2.4 64Kb(8K×8位)28脚NMOS EEPROM2864(A)/CMOS EEPROM28C64140

2.2.5 256Kb(32K×8位)28脚CMOS页面写入并行接口EEPROM 28C256144

2.2.6 512Kb(64K×8位)32脚CMOS页面写入并行接口EEPROM X28C512/X28C513146

2.2.7 1Mb(128K×8位)32脚CMOS页面写入并行接口EEPROM28C010147

2.2.8 2Mb(256K×8位)32脚CMOS页面写入并行接口EEPROM28C020149

2.2.9 1Mb(512K×8位)32脚CMOS页面写入并行接口EEPROM28C040151

2.2.10 4Mb(256K×16位)40脚CMOS页面写入并行接口EEPROM28C4096152

2.2.11 二线制I2CCMOS串行EEPROM24C01(A)/02(A)/04(A)/08/16/32/64154

2.2.12 二线制可加口令的8脚CMOS串行EEPROM X76041163

2.2.13 三线制MicrowireCMOS同步串行EEPROM93C06/46/56/66175

2.2.14 三线制Microwire带有数据保护的CMOS同步串行EEPROM93CS06/46/56/66183

2.2.15 SPI CMOS串行EEPROM25C01/02/04193

2.2.16 四线制CMOS串行EEPROM59C11/22/13198

2.2.17 可电擦除可编程只读存储器EEPROM器件索引204

2.3.1 概 述212

2.3 快擦写可编程只读存储器Flash Memory212

2.3.2 256Kb/512Kb/1Mb/2Mb（32K/64K/128K/256K×8位）CMOS Flash28F256/512/010/020213

2.3.4 4Mb（512K×8位）44脚CMOS带自举模块的Flash Memory28F004BX220

2.3.3 4Mb（512K×8位）CMOS分块结构Flash Memory28F4001222

2.3.5 4Mb（512K×8位）44脚CMOS带自举模块的Flash Memory28F400BX238

2.3.6 8Mb（1M×8位）44脚CMOS Flash Memory28F008SA239

2.2.7 Atmel的AT29CXXX Flash系列246

2.3.7.1 Atmel的AT29CXXX Flash Memory概述246

2.3.7.2 256Kb/512Kb/1Mb/2Mb（32K/64K/128K/256K×8位/16位）CMOS FlashEPROM29C256/257/512/010/020/040248

2.3.8 串行快擦写存储器255

2.3.8.1 带块锁定保护二线制串行快擦写存储器X24FXXX系列255

2.3.8.2 带锁定保护的SPI串行接口快擦写存储器X25FXXX系列264

2.3.9 快擦写可编程只读存储器Flash Memory器件索引271

2.4 非易失性静态读写存储器NVSRAM273

2.4.1 非易失性SRAM系列DS12XX274

2.4.2 带有电源监视器的非易失性SRAM系列DS13XX276

2.4.3 可分区的非易失性SRAM系列DS16XX和低压DS17XX279

2.4.4 带有输入输出端口的非易失性SRAM DS1381282

2.4.5 带有64位标识码的256位影子NOVSRAM DS2430285

2.4.6 非易失性静态读写存储器NV SRTAM器件索引292

2.5 铁电介质读写存储器FRAM294

2.5.1 铁电介质读写存储器FRAM概述294

2.5.2 4Kb/16Kb/64Kb非易失性铁电存储器FM1208S/1408S/1608S298

2.5.3 4Kb/16Kb非易失性串行铁电读写存储器FM 24C04/24C16305

第三章多端口读写存储器MPRAM312

3.1双端口RAM312

3.1.1 （1K×8位）双端口SRAM CY7C130/131/140/141312

3.1.2 （2K×8位）双端口SRAMCY7C132/136和CY7C142/146314

3.1.3 （256K×8位）双端口SRAMDS1609315

3.2 FIFO存储器318

3.2.1 （512×9位）异步FIFO LH540201/LH5496（H）/DS2009319

3.2.2 （512×18位/1K×18位）同步FIFO LH540215/25/IDT72215B/25B325

3.2.3 （4K×9位）同步FIFO LH5492MS76492（Mosel/Vitelic）NMFC5492（National）343

3.2.4 （4K×9位）并行转串行FIFO LH5493MS76493（Mosel/Vitelic）/NMFP5493（National）351

3.2.5 （？）串行转并行FIFOLH5494MS76494（Mosel/Vitelic）/NMFP5494（National）358

3.3 其他多端口存储器364

3.3.2 （4K×9位）4端口串行RAM DS2015364

3.3.2 存储器三线串行-字节并行总线转换器DS1280369

3.3.3 多端口读写存储器MPRAM（/FIFO）器件索引377

第四章 内嵌电池掉电自保护存储器插痤383

4.1 掉电自保护SRAM插座383

4.1.1 掉电自保护16Kb/64Kb SRAM插座DS1213B384

4.1.2 掉电自保护256Kb SRAM插座DS1213C387

4.2 带实时时钟的掉电自保护存储器插座388

4.1.3 掉电自保护256Kb/1Mb SRAM插座DS1213D388

4.2.1 带实时时钟的掉电自保护16Kb/64Kb SRAM插座DS1216B389

4.2.2 带实时时钟的掉电自保护64Kb/256Kb SRAM插座DS1216C394

4.2.3 带实时时钟的掉电自保护256Kb/1Mb SRAM插座DS1216D395

4.2.4 带实时时钟的掉电自保护64Kb/256Kb ROM插座DS1216E395

4.2.5 带实时时钟的掉电自保护64Kb/256Kb/1Mb ROM插座DS1216F398

4.3 分区写保护掉电自保护SRAM插座399

4.3.1 分区写保护掉电自保护256Kb SRAM插座DS1613C399

4.3.2 分区写保护掉电自保护1Mb SRAM插座DS16130401

4.4 带实时时钟和NVSRAM的超级微控制器插座DS1310/1311402

6.3.3 页面寻址EPROM的应用407

5.1 Motorola公司微控制器系列411

5.1.1 Motorola公司含存储器的M6801/M6804/M6805/MC146805系列微控制器411

第五章微控制器片内存储器411

5.1.2 Motorola公司含存储器的M68HC05系列微控制器412

5.1.3 Motorola公司含存储器的M68HC11系列微控制器418

5.1.4 Motorola公司含存储器的M68HC16系列微控制器421

5.1.5 Motorola公司含存储器的M68300系列微控制器422

5.2 Intcl公司微控制器第列423

5.2.1 Intcl公司含存储器的MCS-51系列8位微控制器423

5.2.3 Intcl公司含存储器的MCS-96系列16位微控制器424

5.2.2 Intcl公司含存储器的MCS-52系列8位微控制器424

5.3 Phihps公司微控制器系列425

5.3.1 Philips公司含存储器的80C51系列微控制器425

5.3.2 Philips公司含存储器的80C52系列微控制器425

5.4 Zilog公司微控制器系列427

5.4.1 Zilog公司含存储器的z84/Z86系列微控制器427

5.4.2 Zilog公司含存储器的z89系列微控制器428

5.1.2 National Serniconductor公司含存储器的8位微控制器系列429

5.5 National Serniconductor公司微控制器系列429

5.1.1 National Serniconductor公司含存储器的4位微控制器系列429

5.1.3 National Serniconductor公司含存储器的16位高性能微控制器系列430

5.6Microchip公司微控制器系列中含存储器的芯片432

5.6.1 Microchip公司基础级微控制器系列432

5.6.2 Microchip公司中档微控制器系列432

5.6.3 Microchip公司高档微控制器系列434

5.7 Atmel公司微控制器系列中含存储器的芯片434

5.8NEC公司微控制器系列434

5.8.1 NEC公司含存储器的4位微控制器系列434

5.8.2 NEC公司含存储器的准8位微控制器系列435

5.8.3 NEC公司含存储器的8位微控制器系列437

5.8.4 NEC公司含存储器的准16位微控制器系列437

5.9Toshiba公司微控制器系列中含存储器的苡片438

5.9.1 Toshiba公司含存储器的4位微控制器系列438

5.9.2 Toshiba公司含存储器的8位微控制器系列440

5.9.4 Toshiba公司含存储器的基于68HC05/11的微控制器系列442

5.10Fujitsu公司微控制器系列442

5.10.1 Fujitsu公司含存储器的8850系列4位微控制器442

5.9.3 Toshiba公司含存储器的基于Z80微控制器系列442

5.10.2 Fujitsu公司含存储器的88200系列4位微控制器443

5.10.3 Fujitsu公司含存储器的88500系列4位微控制器443

5.10.4 Fujitsu公司含存储器的89700系列8位微控制器443

5.11 Panasonic公司微处理器系列444

5.11.1Panasonic公司含存储器的1400系列4位微处理器444

5.11.2 Panasonic公司含存储器的1500系列4位微处理器444

5.12 Hitachi公司微控制器系列445

5.12.1Hitachi公司含存储器的4位微控制器系列445

5.12.2 Hitachi公司含存储器的8位微控制器系列445

5.13.2 Texas Instruments公司含存储器的TMS370系列8位微控制器446

5.13.1 Texas Instruments公司含存储器的7000系列8位微控制器446

5.13Texas Instruments公司微控制器系列446

5.14.2 HolteK公司含存储器的8位微控制器系列447

5.14HolteK公司微控制器系列447

5.14.1 HolteK公司含存储器的4位微控制器系列447

第六章 存储器应用技术448

6.1存储器扩展技术448

6.1.1 存储器的基本操作控制448

6.1.2 超过地址寻址范围的大容量存储器扩展技术448

6.2存储器兼容设计技术455

6.2.1 相同引脚数目的EPROM和SRAM兼容设计455

6.2.2 不同型号存储器插座兼容设计456

6.2.3 8031单片机中EPROM和SRAM通用存储器全兼容设计457

6.3EPROM应用技术458

6.3.1 3V EPROM与5VBUS的接口技术458

6.3.2 用？=5V给EPROM编程和编程器印刷板设计+463

6.3.4 EPROM的正确使用和快速固化技术474

6.4EEPROM应用技术478

6.4.1 EEPROM的数据保护478

6.4.2 EEPROM的芯片擦除软件算法482

6.4.3 串行EEPROM的操作483

6.5存储器节能设计技术492

6.5.1 低功率微系统环境的存储器设计概述492

6.5.2 低功耗存储器与非易失性存储器的选择493

6.5.3 使用CHMOS DRAM的系统设计497

6.5.4 电 池508

6.5.5 电源切换电路514

6.5.6 结 论523

参考文献523

附录 国内外生产半导体存储器器件公司和代理商名录523