《功率半导体器件基础 英文版》高清PDF
作者:(美)B.JayantBaliga著
出版:北京:科学出版社
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出版时间:2012.06 (求助前请核对清楚)
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本书作者是功率半导体器件领域的著名专家,IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验,深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,不仅详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
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