《表1 0.9BT-0.1NBT-0.02Nb-x LBBS介质陶瓷的性能参数》

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《中温烧结X9R型陶瓷电容器介质材料的研究》

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图6和图7分别为1kHz下0.9BT-0.1NBT-0.02Nb-xLBBS（x=0～1.5 wt%）介质陶瓷在最佳烧结温度下的介温图谱及容温变化率图谱，表1为所有样品对应的介电性能参数。所有的样品的介电常数都稍低于未加LBBS助烧剂的样品，这是由于LBBS为非铁电性的低熔点物质，稀释了陶瓷体系中的铁电性而使介电性能下降，当x=1.0%时介电常数略微增加，这是由于随着LBBS助烧剂含量的增加，烧结过程中形成的液相含量增加，液相增加更能充分浸润固体颗粒加快传质的速度，颗粒固体重新排列气体得以充分排出，从而提高陶瓷的致密性，增大陶瓷的介电常数，同时降低介电损耗。所有样品随着LBBS助烧剂含量增加，高低温容温变化率得以改善。高温端的相变温度提高，这可能由于LBBS的加入增加了核-壳-晶界之间的内应力[10]，从而导致相变温度的增加。所有样品都满足EIA X8R（在-55～150℃范围内满足△C/C25℃≤±15%）的标准，当x=1.0～1.5%时，性能满足满足EIA X9R的标准。当x=1.0%时，介质陶瓷性能最佳，室温介电常数为1266，介电损耗为0.018，烧结温度为1100℃，有望用于多层陶瓷电容器的介质陶瓷。助烧剂掺杂后的陶瓷的性能优于玻璃掺杂钛酸钡基陶瓷的性能[12]。