《表2 天线物理尺寸 (单位：mm)》

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《基于S-PIN二极管的频率可重构天线设计》

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图2所示天线正面包含了部分单极子的金属线以及S-PIN；正面（1），（4） 2个矩形区域为多个S-PIN单元按照图1所示P-N-P方式进行串联形成的长条（此处为了方便读者阅读，将该区域图进行了简化）。天线背面为天线的局部地以及（2），（3） 2块可重构区域。当（1），（2） ，（3） 3个区域被激励，而（4）区域未被激励时，可以清晰地看出这相当于一个平面偶极子天线；当（1），（2） ，（3） 3个区域未被激励时，此区域相当于介质，区域（4）被激励，此时天线相当于一个单极子天线。该天线采用侧馈的馈电方式，天线的介质基板为含有SiO2薄层的硅，其相对介电常数为11.9，损耗角正切为0.004。使用全波仿真软件对天线进行仿真，仿真过程中使用等离子体的Drude模型仿真其性能[14]，在Drude模型中，图1所示的重掺杂区域N+与P+的等离子体频率以及碰撞频率相同，其中等离子体频率为1.78×1014 rad/s，等离子体碰撞频率为14.05×1012 s-1；而低掺杂区N-的等离子体浓度为1.78×1012 rad/s，等离子体碰撞频率为1.76×1012 s-1。介质基板宽度W为5.8 mm，长度L为8 mm，其余具体参数见表2。