《表1 涂膜用AgNWs浆料配方》

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《银纳米线薄膜的制备及电磁屏蔽性能研究》

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注:样品A中AgNWs质量浓度为1.2mg/mL；样品B中AgNWs质量浓度为2.4mg/mL；样品C中AgNWs质量浓度为3.0mg/mL。

将0.36g AgNO3加入6mL EG中，避光条件下搅拌至AgNO3完全溶解得到AgNO3溶液。将2种相对分子质量不同的PVP（各0.16g）混合均匀，加入到44mL EG中充分搅拌至完全溶解。将上述溶液混合后室温下超声，搅拌至均匀透明的溶液。取600μmol/L FeCl3·6H2O的EG溶液（4mL）和600μmol/L NaBr的EG溶液（3mL），逐滴滴加到均匀透明的溶液中。将混合好的溶液转移至三颈烧瓶，于130℃油浴加热4h，自然冷却至室温，得到AgNWs的EG溶液。取出反应液，以2000r/min转速离心10min，分离出沉淀物，取上清液。在上清液中加入一定量无水乙醇，以6000r/min转速离心30min，去除上清液，接着加入一定量无水乙醇，充分振荡后以4000r/min转速离心30min得到沉淀物。最后，取10mL无水乙醇与沉淀物混合、振荡，得到提纯的AgNWs分散液（质量浓度为3.6mg/mL）。配制质量分数为1%的HPMC水溶液作为成膜剂。将HPMC与AgNWs分散液按一定比例混合得到涂膜用AgNWs浆料，配方见表1。