《表1 STNO性能参数：自旋转移矩纳米振荡器原理、结构与研究进展》

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《自旋转移矩纳米振荡器原理、结构与研究进展》

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注:表中NP表示纳米柱接触，NC表示纳米点接触，IP表示面内磁场，OP表示面外磁场，φ表示磁场方向与易磁化轴的夹角。T表示数据是在低温条件下测得，其余均是在室温下。OPP表示偏置场在面外，其余均是在面内。SAF表示激发发生在钉扎层，NP-V与NC-V表示磁涡旋模式

21世纪初，由自旋转移矩引起的持续稳定振荡得到实验验证之后，有关人员进行了许多针对改变磁电阻器件的磁性叠层和外部磁场条件的研究，近年来研究结果表明，STNO在载波频率、调谐范围、带宽、输出功率等方面出现了很多不同的特性，如表1所示[10]。