《表2 射野Y方向边界在二维电离室矩阵中改变时对应的变化量和通过率分析》

《表2 射野Y方向边界在二维电离室矩阵中改变时对应的变化量和通过率分析》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《二维电离室矩阵中射野边界位置对调强验证Gamma通过率的影响》


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*表示射野边界位于或接近电离室腔体中心位置;#表示射野边界位于或接近二维矩阵电离室腔外间隙中心位置

(10×10) cm2射野中心在二维电离室矩阵等中心处时如图1所示,由图1可见射野边界靠近电离室腔体中心。两种方式下分别计算出射野边界每移动0.1 cm时射野边长改变量(全部取正值),共16组。在标准3%/3 mm下,γ分析不通过的地方集中在射野边界,每个边上不通过的电离室个数即为对应边的不通过点数(数值见表1、表2)。