《表1 TIB-1与TIB-2孔结构参数》
图5给出了TIB-1与TIB-2的孔径分布。表1给出了TIB-1与TIB-2孔隙率、平均孔径、密度及最可几孔径等参数,数据表明TiC的添加对样品孔结构影响较小。对于共熔法制备的TiB2基复合材料,孔隙产生原因主要如下:原材料长时间球磨造成粒度减小,从而引起表面积增加,而粉体在烧结熔融过程中吸附惰性气体氩气,从而造成孔隙产生[8];此外,热处理温度高达2550℃,致使碳化硅部分发生分解,从而产生孔隙[13]。
图表编号 | XD0076682500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.06.01 |
作者 | 杨金华、刘占军、郭全贵、焦健 |
绘制单位 | 中国航发北京航空材料研究院先进复合材料国防科技重点实验室、中国航发北京航空材料研究院航空材料先进腐蚀与防护航空科技重点实验室、中国科学院山西煤炭化学研究所中国科学院炭材料重点实验室、中国科学院山西煤炭化学研究所中国科学院炭材料重点实验室、中国航发北京航空材料研究院先进复合材料国防科技重点实验室、中国航发北京航空材料研究院航空材料先进腐蚀与防护航空科技重点实验室 |
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