《表1 房室传导的解剖学和功能学》

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《Source-Sink理论与传导阻滞》

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三度AVB常需植入起搏器治疗。传统心室电极的的植入部位为右室心尖，或者高位右室间隔。希氏束起搏可以通过夺获希氏束-浦肯野纤维系统的传导，产生最符合生理的心室激动顺序。理论上来说，对于无室内阻滞，仅由房室结病变导致的三度房室传导阻滞，希氏束起搏更符合生理电活动。希氏束起搏可分为高位希氏束起搏和低位希氏束起搏，后者即所谓的“左束支”起搏。Source-Sink理论认为病理性的AVB最可能发生在希氏束下端，即左右束支分叉处，此时Sink明显增加。尽管高位希氏束起搏可以取得临床治疗效果，但是存在植入后，希氏束远端阻滞的可能性；因此理论上低位希氏束起搏可以避免上述可能性。此外由于希氏束病变位于中下段，为获得理想的希氏束起搏，一般高位希氏束起搏夺获阈值高；而希氏束远端起搏直接跨越阻滞部位，夺获阈值低，电信号更易传导。