《表2 放电电压与基体信号强度的关系》
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《直流辉光放电质谱法测定高纯二氧化锗中的16种杂质元素及其相对灵敏度因子的求取》
在制样直径约为4mm时,试验考察了放电电压分别为650,750,850V时,对基体74 Ge信号强度的影响,结果见表2。
图表编号 | XD0070005300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.07.18 |
作者 | 谭秀珍、李瑶、林乾彬、朱刘、邓育宁 |
绘制单位 | 广东先导稀材股份有限公司国家稀散金属工程技术研究中心、广东先导稀材股份有限公司国家稀散金属工程技术研究中心、广东先导稀材股份有限公司国家稀散金属工程技术研究中心、广东先导稀材股份有限公司国家稀散金属工程技术研究中心、清远先导材料有限公司 |
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