《表3 壁面剪应力：入口结构对三维凹壁面切向射流作用下离散颗粒行为的影响》

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《入口结构对三维凹壁面切向射流作用下离散颗粒行为的影响》

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注：D0=600 mm；uin=2.0 ms-1。

需要说明的是加入颗粒后，三种入口结构在10°≤θ≤35°区域最大壁面剪应力值出现持平的情况，形成这一趋势的原因在于颗粒与壁面的碰撞角度小于21.04°，在该角度附近颗粒对内壁面形成冲击。比照图7颗粒轨迹可以得出结论，离散颗粒第一次冲击在入口周向10°≤θ≤35°范围；颗粒反弹后在35°≤θ≤90°范围受离心力作用与壁面形成碰撞—反弹—再碰撞—再反弹的模式，颗粒动量被消耗，壁面剪应力迅速衰减；在θ>90°后，粒子基本处于沿壁面滚动下滑状态，壁面剪应力变化很小。