《表1 不同反应温度下的MoS2有效成核点数目》

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《基于温度控制的MoS_2薄膜制备的探究》

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为了进行定量分析，我们引入有效成核点的测量。在图4（a）～（e）中分别选取5个相同面积的区域（20164μm2），对区域内MoS2有效成核点（MoS2几何面积大于或等于0.5μm2的成核点）数量进行统计测量[19]，结果见表1。由表1的数据可见，图4（e）区域的有效成核点数量最多，这一结果与图4（e）的光学显微镜图一致，即MoS2成膜面积最大。进一步分析表1中数据之间的关系可知:其他条件一定时，在相同区域的Si O2/Si衬底上测得的MoS2有效成核点数目随着反应温度的增大而增加，同时MoS2样品在尺寸上也随之增大，并形成薄膜，如图4（d）～（e）所示。