《表2 IS61LV5128AL比特距离测定表》

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《基于SRAM-PUF的秘钥提取方案设计》

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本章基于前期大量的实验数据提出两种密钥提取算法设计思想。在前期实验中，选取了五种常见的SRAM型号进行不同环境下的上电测试。定义比特距离为一组数据的对应比特位上电值不同的个数，以此来判断芯片的稳定性。选取R1LP0408CSP-5SI和IS61LV5128AL-10TLI芯片的上电实验结果，如表1和表2所示，从中可以看出，不同的SRAM型号里有上电复位值较为稳定的芯片，也有同片片内数据变化率较大的芯片。