《表1 输出电压对应表：快充双协议识别方案设计》

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《快充双协议识别方案设计》

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如表1所示，在与充电电路顺利连接后QC2.0识别芯片会默认经过MOS电路使D+与D-这两个端口短接，而手机端会探测到充电电路类型为专用充电端口模式（普通充电模式）。这个时候充电电压为5 V，手机将在普通模式下充电。若被充电的手机支持QC2.0快速充电协议，则手机端安卓用户空间里名为“hvdcp”进程将依照协议的设定而启动，开始在D+端口上加载约0.3 V的电压。若在1.25 s的时间内该端口持续维持0.325 V的电压，则充电电路会解除对D+和D-两线的短接状态，故D-端口上的电压会因为电路状态的变化下降至较低电压值；经过手机端探测到D-端口上的电压发下降后，“hvdcp”的进程会读取安卓用户空间内部名为“voltage＿max”路径所检测的数值如果检测数值结果为9 000 000 mV，则芯片会调整D+、D—两线的电压状态，分别调整至3.3 V和0.6 V，该电压模式将使充电电路的电压输出为9 V，开启快充QC2.0模式。如果检测数值结果为5 000 000 mV，则将会芯片会设置D+端口电压为0.6 V，D-端口电压为0 V，使充电电路维持输出为5 V电压，保持普通充电模式[10]。