《表2 不同等离子体电流强度及处理次数苦荞的根长》

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《等离子体处理对苦荞种子幼苗发育及其产量的影响》

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注:对照根长2.48cm。

方差分析结果显示，等离子体电流强度F=17.75*，处理次数F=14.15*，等离子体电流强度×处理次数F=4.51，F0.05（3，2）=9.55，可知不同等离子体电流强度及次数处理对晋荞麦2号地下部根长的影响在5%水平上差异显著。由表2可知，当处理次数为1次时，等离子体电流强度为1.1A、1.3A和1.5A之间的苦荞根长差异不显著，但均显著优于1.7A，与1.1A和1.5A相比，等离子体电流强度1.3A下，苦荞根长分别增加4.21%和34.69%；当处理次数为2次时，等离子体电流强度为1.1A、1.3A和1.7A之间的苦荞根长差异不显著，但均显著优于1.5A，与1.1A和1.7A相比，等离子体电流强度1.3A下苦荞根长分别增加16.67%和11.83%；当处理次数为3次时，等离子体电流强度为1.1A和1.3A的苦荞根长差异不显著，但均显著优于1.5A和1.7A，与1.3A相比，等离子体电流强度1.1A下苦荞根长较1.3A增加32.82%。在相同处理等离子体电流强度下，处理次数对根长影响也不同。等离子体电流强度为1.1A时，不同处理次数间的苦荞根长无显著差异；等离子体电流强度1.3A时，处理3次的苦荞根长显著低于处理1次和2次；等离子体电流强度为1.5A时，处理1次的苦荞根长显著高于处理2次和3次；等离子体电流强度为1.7A时，处理2次的苦荞根长显著高于处理1次和3次。总体来说，等离子体电流强度为1.3A，处理次数为1次时，根长表现最好，为3.96cm，比对照（2.48cm）增加1.48cm，增加59.68%；次数为2次时，与1次无显著差异，根长为3.78cm，比对照增加1.3cm，增加52.42%。