《表6 电源网络VDD在环境温度为125℃时的电迁移检查报告》

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《鳍式场效应晶体管结合自热效应的电迁移分析》


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特别是当在先进工艺节点下针对高翻转率的高性能芯片进行电迁移检查时,采用SEB可以使电迁移的检查覆盖率大幅上升,显著地增加设计的可靠性。