《表3 掉电检测电路测试结果》

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《基于深亚微米的低成本高可靠BOD电路》

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本文设计的掉电检测电路，在一款基于ARM M系列的高性能单片机中成功实现应用，并通过该单片机电路对本文的掉电检测电路进行了测试，其中10只电路的测试结果如表3所示，从表中的数据可以看出，电路上电过程中检测电路触发点VB＿th+范围为2.151 V～2.360 V，下电过程中检测电路触发点VB＿th-范围为2.113 V～2.325 V，能够很好地满足电路的设计要求。