《表1 电容配比测试实验》

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《PECVD RF系统原理和故障改善》

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RF match作为RF系统的关键部件，其阻抗随RF Generator提供的射频频率变化而变化。电容阻抗Xc=1/2πFC，F为RF Generator产生的射频频率，通过F变化实现RF match阻抗变化。PECVD G8.5设备RF match设计电容为3100/855，但是在实际沉积氮化硅薄膜过程中，因为新工艺条件的导入，PECVD设备存在反射功率过高问题。在保持工艺条件不变的情况下，尝试更改RF match电容配比降低反射功率。为此进行了大量的条件测试如表1。最终找到3150/700的配比成功将反射功率从1000降低至30，反射功率高报警发生次数明显减少。