《表1 电容TEG测试结果》

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《TFT-LCD四角发黑Mura的研究与改善》

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由TFT-LCD的驱动原理可知[3]，电学问题还有可能是在信赖性过程中TFT电容的变化造成的。为此需要继续测试TFT电容的变化以明确Mura产生的电学相关性。通常TFT都会设计有用于监控各层介电常数的电容测试元件组（TEG），其结构类似于简单的电容器，上下两层电极为非晶硅TFT制造过程中使用的金属，即栅极（Gate）、源漏极（SD）和两层氧化铟锡（ITO）电极，中间的介质包含栅极绝缘层（GI）、第一绝缘层（PVX1）、第二绝缘层（PVX2）、有机树脂层（ORG）和非晶硅材质的有源层，如图4所示，4组电容TEG的介质膜层分别为GI+Active+PVX2、PVX2、GI和PVX1+ORG+PVX2。将切割成小片的包含电容测试结构的TFT基板置于相同的信赖性评价65/90 HTO腔室，以模拟TFT膜层在环境中的变化（主要是水分的进入），每间隔1d分别测试4组TEG的电容值，并计算出6d内的电容变化量，测试结果参见表1。从中可以看出，TEG A和TEG C的电容基本无变化，但TEG B和TEG D的电容都在过程中不断地增加，6d后已分别上升了19.6%和330.8%。由于电容和介电常数成正比，说明水汽已进入PVX2和ORG的膜层，造成了介电常数的增加（通常PVX2的介电常数为6.1，水为81，ORG为3.3），进而引发电容的变化。且从趋势上看，若时间持续增加，水汽不断地进入膜层，电容变化势必还会继续攀升直至PVX2和ORG膜层完全失效。