《表1 非正弦环境的磁通密度峰值和逆转值 (B1=1.0 T)》

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《非正弦励磁环境磁性材料改进损耗模型的研究》

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首先定义两个与磁通密度波形有关的参数[10]。如图1所示，只考虑磁通密度正半周波形，ΔBi为非正弦磁通密度逆转值，与磁滞回线中小回环相对大回环的位置有关；Bp为非正弦磁通密度峰值。这两个值通过自编程对磁通密度波形处理很容易得到，典型波形的部分结果见表1。另外，不同的多变量条件下逆转峰数量m也不同，与小回环数量有关。