《表1 标准化学计量比γ-Ti Al的稳定层错能及非稳定层错能》

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《第一性原理研究反位缺陷对TiAl基合金力学行为的影响》

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本工作采用EMTO-CPA方法计算非化学剂量比TiAl基合金的GSFE，因此难以考虑反位缺陷及层错引起的局域晶格弛豫。为评估局域晶格弛豫对GSFE的影响，作为比较，采用第一原理平面波赝势方法VASP[34～36]对标准化学剂量比TiAl的稳定层错能及非稳定层错能进行了计算，见表1。可见，采用EMTO方法计算得到的稳定和非稳定层错能与未进行晶格弛豫的VASP计算结果吻合较好，误差均在5%以下。比较EMTO及未晶格弛豫VASP计算结果与经晶格弛豫的VASP计算结果[12，39]，三者稳定层错能仍然符合良好，但未晶格弛豫计算结果显著高于晶格弛豫后的计算结果，即晶格弛豫效应对非稳定层错能的影响较为显著。然而，晶格弛豫对非稳定层错能的相对大小（γUAPB>γUCSF>γUSISF）没有影响。此外，值得注意的是，文献[39]采用轴比为1.023的计算模型，对比层错能结果表明轴比为1引起的层错能误差可忽略，与本文作者前期工作的结果[12]类似。因此，未晶格弛豫计算结果仍可用来判断各变形机制的难易程度。另外，EMTO计算和其它理论结果[12，39～41]中的稳定层错能，都符合如下顺序:γAPB>γCSF>γSISF（表1）。