《表1 MCT电性能参数》

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《基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性》

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MCT电性能参数如表1所示（25℃）。应用于CDU时，MCT需要考虑的关键参数有:阴阳极阻断电压VD（BR），栅极导通阈值电压VGK（TH）—导通MCT的栅压下限，导通延迟时间td（ON）—输入栅控信号到回路导通的延迟时间，电流变化率di/dt，回路电流峰值IPEAK等。