《表1 A组分压电陶瓷圆环辐照前后性能变化及t检验成对双样本均值分析结果》

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《铋层状压电陶瓷及其传感器总剂量辐照效应研究》

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从表1和表2中可以看出，使用t检验对样品试验前后差异性进行分析，A组分压电陶瓷圆环d33、εT33及B组分压电陶瓷圆环d33的P<0.05，说明试验前后样本性能有一定差异，即样品经过累积总辐照剂量为100Mrad（Si）会影响压电陶瓷元件的性能，具体表现为d33、εT33有微小的上升趋势，但上升的幅度极小，可以认为前后变化不大；对于B组分压电陶瓷圆环εT33尽管其P（0.115417）>0.05，统计意义上分析试验前后样本性能无差异，即样品经过累积总辐照剂量为100Mrad（Si）对B组分压电陶瓷圆环εT33，影响不明显，但εT33测试数据趋势上看仍有微小的上升。已有文献表明[3]对许多压电材料来说，采用γ辐射进行辐照处理是一种有效的人工老化方法，因此经过自然老化后性能已趋于稳定，在辐射过程中，其性能变化就比较