《表6 极差分析结果:垫圈式压电六维力传感器静态灵敏度解析》
表6是基于正交试验结果的极差分析,表中K珡i(i=1,2,3,4)代表各结构参数所对应的水平下试验结果平均值;Ri为同一结构参数不同水平下的试验结果的极差值。图5是极差分析柱状图,横轴代表不同因素的4个水平,纵轴为试验指标;同一因素下不同水平的柱状图高度差异越大,表明该因素对传感器灵敏度的影响就越大;同一因素下柱状图高度最高时所对应的水平即为该因素的最佳水平。由图5可得到影响传感器的灵敏度的强弱顺序为:晶片半径>外环弹性模厚度>晶片厚度>影响外环弹性模宽度尺寸>内环弹性模厚度>影响内环弹性模宽度尺寸。最佳水平组合为:晶片半径r1=5mm,晶片厚度b7=0.85mm,内外环弹性模厚度b2(b3)=0.3mm,影响内、外环弹性模宽度的结构参数r5=9.8 mm,r6=20mm。
图表编号 | XD0051561700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.04.01 |
作者 | 刘俊、徐军领、李敏、秦岚、刘京诚、张登卓 |
绘制单位 | 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室、重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室、重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室、重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室、重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室、重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室 |
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