《表1 有无光栅衬底上Cd Se的荧光数值及其强度关系》

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《激光诱导光栅表面等离子体增强CdSe量子点荧光》

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为了研究所制备的光栅结构对CdSe量子点荧光的增强效应，分别采集了有无光栅结构衬底在不同激发功率下CdSe量子点的荧光谱图。如图6中a～g和a′～g′分别为无光栅结构衬底和有光栅结构CdSe的荧光强度。从图中可以看到，随着激发功率的增加，无光栅结构表面上的CdSe量子点的荧光强度线性增加，其图谱较为平滑。而在光栅结构上的CdSe量子点，其荧光强度呈现非线性增长，且其谱图也只是在高激发功率下出现明显峰位，在较低的激发光时，曲线并不明显。这是由于衬底表面上量子点数量太少，且背景噪声湮没了荧光信号。故此，为了明显地看出量子点的荧光，我们将a，a′扣除背景，得到增强荧光如图7（b）中曲线（2）和（3），与量子点荧光光谱曲线（1）对比（注:图7 （a）为CdSe量子点常规测量的荧光光谱） ，三条曲线线型基本一致，再考虑溶液失水后荧光蓝移，增强荧光谱与量子点光谱基本重合。图6（b）中，由于光栅结构对入射光具有很大的选择性，结构上量子点的增强荧光谱在582 nm处出现了最强峰位（饱和功率时），此实验结果与我们模拟得出的该光栅结构在580nm处能够获得最佳激发效果刚好吻合。我们将582nm波长处作为参考位置，并分别统计了不同衬底上随激发功率变化的荧光数值（表1）。