《表3 扇型屏蔽层的仿真结果》
扇型屏蔽层的仿真结果如表3所示。可以看出,与不加边沿扇型屏蔽层相比,只加内沿时对发射线圈下方10mm处水平位置的屏蔽效果提升了39%,对线圈外150mm处竖直位置的屏蔽效果提升了4.3%;只加外沿时对发射线圈下方10mm处水平位置的屏蔽效果提升了24.6%,对线圈外150mm处竖直位置的屏蔽效果提升了10%;既加内沿也加外沿时对发射线圈下方10mm处水平位置的屏蔽效果提升了50.3%,对线圈外150mm处竖直位置的屏蔽效果提升了13.7%。对于扇型屏蔽层来说,内沿对发射线圈下方10mm处水平位置的屏蔽效果要优于外沿,外沿对线圈外150mm处竖直位置的屏蔽效果要优于内沿。同时还可以发现,内沿加外沿扇型屏蔽层在水平位置和竖直位置的屏蔽效果同时达到最优。
图表编号 | XD0050441700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.05.23 |
作者 | 李厚基、王春芳、魏芝浩、李聃 |
绘制单位 | 青岛大学电气工程学院、青岛大学电气工程学院、青岛大学电气工程学院、青岛鲁渝能源科技有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |