《表1 组元材料的物性参数随温度的变化》

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《电子束沉积SiC/ZrO_2热防护层的结构优化及其抗热震性能》

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以下用试验方法测量各组元的残余应力随工艺和结构参数的变化，验证上述数值的计算结果。基体厚度为200μm，热防护层总厚度不超过8μm。由于X射线的穿透厚度约为20μm左右，且测量的为穿透厚度整体平均残余应力，故难以用X射线法有效验证计算结果（若采用电解抛光方法去除基体，再测各层残余应力，在热防护层厚度与基体厚度相差悬殊、且为双防护层结构的情况下，也很难保证试验结果的可靠性）。因此，仅利用X射线在基体背面进行测量，结果见表2。由表2可以看出:试验得到的残余应力值比数值计算值高23%左右，但随沉积温度的变化趋势和程度均与数值计算结果相近。试验与数值计算的误差一方面是因X射线测量范围引起的，另一方面也与沉积过程中可能存在相变及测量位置的选择有关（由于基体中心与边缘的散热量不同导致残余应力沿着基体径向产生变化）。