《表2 全球专利技术领域申请数量》

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《基于专利分析的NEMS传感器技术发展现状与趋势》

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NEMS传感器始于20世纪60、70年代，通过对1997～2017年间全球纳米传感器技术专利的分析，可以看出，直到1997年，专利申请数量才出现比较明显的增长趋势，全球纳米传感器技术进入快速发展时期；日本、德国及美国处于纳米传感器技术领域的领跑位置，技术研发实力最强，韩国和法国紧随其后，在纳米传感器技术领域也具有较强的竞争力。我国纳米传感器技术的发展与美、日、德等国家相比，存在较大的差距，虽然专利数量较多，处于该领域全球专利申请量第4的位置，但是严重缺乏具有竞争力的NEMS传感器领军企业，核心技术和基础研发能力薄弱，这在很大程度上制约了我国NEMS传感器技术的发展与产业化进程的推进。因此，我国应该采取积极措施，以增强我国NEMS传感器的国际竞争力，具体包括4个方面：（1）扶持行业龙头企业，开展核心技术的攻关，强化产业链上下游的合作；（2）面向应用领域，实现从技术到产品的转移，引导产业化的应用推广；（3）协同推进组织、金融、人才、合作等多方面的建设，多方面保障NEMS传感器技术及产业化发展；（4）建设公共创新平台，强化NEMS传感器配套能力，力争我国NEMS传感器技术追上并赶超国际领先水平，并在全球纳米传感器技术市场占居一席之地。